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超薄膜シリコン量子井戸を含む絶縁ゲートによるInP系超高周波大電力デバイスの実現 / 長谷川英機研究代表
チョウウスマク シリコン リョウシ イド オ フクム ゼツエン ゲート ニヨル InPケイ チョウコウシュウハ ダイデンリョク デバイス ノ ジツゲン
(科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書 ; 平成10年度〜平成11年度)
| Publisher | [札幌] : [北海道大学大学院工学研究科] |
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| Year | 2000.3 |
| Codes | ID=2000845107 NCID=BA47593191
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| Language | English,Japanese |
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| Size | 172p : 挿図 ; 30cm |
| Authors | 長谷川, 英機(1941-) <ハセガワ, ヒデキ> |
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| Location | Volume | Call No. | Barcode No. | Status | Comments | ISBN | Printed | Reserve | Restriction | Copy | eDDS | |
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| Central Lib, Center 1F, Ref Books, Reports |
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001.44/KO/2000 | 0173390773 |
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2000 |
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